Name: SIJ186DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIJ186DP-T1-GE3TR-ND
Price: 24.2875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIJ186DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIJ186DP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIJ186DP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIJ186DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIJ186DP-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 23 A (Ta), 79,4 A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIJ186DP-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3,6V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 37 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1710 pF @ 30 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 5W (Ta), 57W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 60 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® SO-8
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 23 A (Ta), 79,4 A (Tc)	Inkapsling/låda PowerPAK® SO-8
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Basproduktens nummer SIJ186
Rds On (max) @ Id, Vgs 4,5mOhm vid 15A, 10V