Name: SIHP100N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP100N60E-GE3-ND
Price: 62.15 SEK
Availability: InStock

N-kanal 600 V 30 A (Tc) 208W (Tc) Genomgående hål TO-220AB

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIHP100N60E-GE3
DigiKeys produktnummer	SIHP100N60E-GE3-ND
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIHP100N60E-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 600V 30A TO220AB
Tillverkarens standardleveranstid	24 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 600 V 30 A (Tc) 208W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 5V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Serie E	Vgs (Max) ±30V
Förpackning Rör	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1851 pF @ 100 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 208W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Genomgående hål
Drain till source-spänning (Vdss) 600 V	Leverantörens enhetsförpackning TO-220AB
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 30 A (Tc)	Inkapsling/låda TO-220-3
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Basproduktens nummer SIHP100
Rds On (max) @ Id, Vgs 100mOhm vid 13A, 10V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 3 722

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 49,72000	kr 49,72
50	kr 25,84940	kr 1 292,47
100	kr 23,54490	kr 2 354,49
500	kr 19,50902	kr 9 754,51
1 000	kr 18,21317	kr 18 213,17
2 000	kr 17,12429	kr 34 248,58
5 000	kr 17,10581	kr 85 529,05

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.