Name: SIHD6N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD6N80E-GE3-ND
Price: 34.9 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIHD6N80E-GE3
DigiKeys produktnummer	SIHD6N80E-GE3-ND
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIHD6N80E-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Tillverkarens standardleveranstid	24 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 800 V 5,4 A (Tc) 78W (Tc) Ytmontering TO-252AA
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V
Serie E	Vgs (Max) ±30V
Förpackning Bulk	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 827 pF @ 100 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 78W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 800 V	Leverantörens enhetsförpackning TO-252AA
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 5,4 A (Tc)	Inkapsling/låda TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Basproduktens nummer SIHD6
Rds On (max) @ Id, Vgs 940mOhm vid 3A, 10V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

Ersättningsartiklar (1)

Artikelnummer	Tillverkare	Tillgängligt antal	DigiKeys produktnummer	Enhetspris	Typ av ersättningsartikel
TK5P60W,RVQ	Toshiba Semiconductor and Storage	3 664	TK5P60WRVQCT-ND	kr 29,74000	Similar

I lager: 1 972

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Bulk

Tillverkarens standardförpackning

Enhetspris exkl. moms:	kr 27,92000
Enhetspris inkl. moms:	kr 34,90000

SIHD6N80E-GE3