N-kanal 600 V 19 A (Tc) 156W (Tc) Ytmontering DPAK
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIHD180N60E-GE3

DigiKeys produktnummer
SIHD180N60E-GE3-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
SIHD180N60E-GE3
Beskrivning
MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
Tillverkarens standardleveranstid
15 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 600 V 19 A (Tc) 156W (Tc) Ytmontering DPAK
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Hitta liknande produkter
Visa tomma attribut
Kategori
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 250µA
Tillv.
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max)
±30V
Förpackning
Rör
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1080 pF @ 100 V
Artikelstatus
Aktiv
Effektförlust (max)
156W (Tc)
FET-typ
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Teknologi
Monteringstyp
Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss)
600 V
Leverantörens enhetsförpackning
DPAK
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Inkapsling/låda
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Basproduktens nummer
Rds On (max) @ Id, Vgs
195mOhm vid 9,5A, 10V
Miljö- och exportklassificeringar
Frågor och svar om produkter
Ytterligare resurser
Ersättningsartiklar (1)
ArtikelnummerTillverkare Tillgängligt antalDigiKeys produktnummer Enhetspris Typ av ersättningsartikel
TSM60NE285CP ROGTaiwan Semiconductor Corporation4 9751801-TSM60NE285CPROGCT-NDkr 36,31000Similar
I lager: 2 271
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 37,68000kr 37,68
10kr 24,67800kr 246,78
100kr 17,30830kr 1 730,83
500kr 14,16198kr 7 080,99
1 000kr 13,15122kr 13 151,22
3 000kr 11,86924kr 35 607,72
6 000kr 11,75740kr 70 544,40
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 37,68000
Enhetspris inkl. moms:kr 47,10000