N-kanal 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIHB21N65EF-GE3

DigiKeys produktnummer
SIHB21N65EF-GE3-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
SIHB21N65EF-GE3
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Tillverkarens standardleveranstid
28 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Hitta liknande produkter
Visa tomma attribut
Kategori
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Tillv.
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Förpackning
Rör
Vgs (Max)
±30V
Artikelstatus
Aktiv
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2322 pF @ 100 V
FET-typ
Effektförlust (max)
208W (Tc)
Teknologi
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Monteringstyp
Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Leverantörens enhetsförpackning
TO-263 (D2PAK)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Inkapsling/låda
Rds On (max) @ Id, Vgs
180mOhm vid 11A, 10V
Basproduktens nummer
Miljö- och exportklassificeringar
Frågor och svar om produkter
Ytterligare resurser
I lager: 92
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 57,57000kr 57,57
50kr 30,33800kr 1 516,90
100kr 27,71230kr 2 771,23
500kr 23,11410kr 11 557,05
1 000kr 21,63789kr 21 637,89
2 000kr 20,82348kr 41 646,96
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 57,57000
Enhetspris inkl. moms:kr 71,96250