Name: SIHB21N65EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB21N65EF-GE3-ND
Price: 69.575 SEK
Availability: InStock

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIHB21N65EF-GE3
DigiKeys produktnummer	SIHB21N65EF-GE3-ND
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIHB21N65EF-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Tillverkarens standardleveranstid	25 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	21 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	180mOhm vid 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	106 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2322 pF @ 100 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	208W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	TO-263 (D2PAK)
Inkapsling/låda	TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer	SIHB21

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 92

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 55,66000	kr 55,66
50	kr 29,37060	kr 1 468,53
100	kr 26,82760	kr 2 682,76
500	kr 22,37590	kr 11 187,95
1 000	kr 21,56963	kr 21 569,63

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.