Name: SIHB100N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB100N60E-GE3-ND
Price: 71.85 SEK
Availability: InStock

N-kanal 600 V 30 A (Tc) 208W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIHB100N60E-GE3
DigiKeys produktnummer	SIHB100N60E-GE3-ND
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIHB100N60E-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Tillverkarens standardleveranstid	24 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 600 V 30 A (Tc) 208W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 5V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V
Serie E	Vgs (Max) ±30V
Förpackning Rör	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1851 pF @ 100 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 208W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 600 V	Leverantörens enhetsförpackning TO-263 (D2PAK)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 30 A (Tc)	Inkapsling/låda TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Basproduktens nummer SIHB100
Rds On (max) @ Id, Vgs 100mOhm vid 13A, 10V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 658

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 57,48000	kr 57,48
50	kr 30,28500	kr 1 514,25
100	kr 27,66220	kr 2 766,22
500	kr 23,07032	kr 11 535,16
1 000	kr 21,59638	kr 21 596,38
2 000	kr 20,77786	kr 41 555,72

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.