Name: SIEH4800EW-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIEH4800EW-T1-GE3TR-ND
Price: 73 SEK
Availability: InStock

Ny produkt

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIEH4800EW-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SIEH4800EW-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SIEH4800EW-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SIEH4800EW-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIEH4800EW-T1-GE3
Beskrivning	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175 C MOSFE
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 34A (Ta), 381A (Tc) 3,4W (Ta), 417W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 8 x 8 BWL
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	80 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	34A (Ta), 381A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	7,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,15mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	278 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	29000 pF @ 40 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,4W (Ta), 417W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® 8 x 8 BWL
Inkapsling/låda	8-PowerDFN