Name: SIDR680DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR680DP-T1-GE3TR-ND
Price: 49.375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIDR680DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIDR680DP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIDR680DP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIDR680DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIDR680DP-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 32.8 A (Ta), 100 A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8DC
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3,4V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 5150 pF @ 40 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 6,25W (Ta), 125W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 80 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® SO-8DC
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 32.8 A (Ta), 100 A (Tc)	Inkapsling/låda PowerPAK® SO-8
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Basproduktens nummer SIDR680
Rds On (max) @ Id, Vgs 2,9mOhm vid 20A, 10V