Name: SIDR5802EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND
Price: 46.75 SEK
Availability: OutOfStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIDR5802EP-T1-RE3
DigiKeys produktnummer	742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SIDR5802EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIDR5802EP-T1-RE3
Beskrivning	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 80 V 34,2A (Ta), 153A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8DC
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIDR5802EP-T1-RE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen V	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 3020 pF @ 40 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-175°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 80 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® SO-8DC
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 34,2A (Ta), 153A (Tc)	Inkapsling/låda PowerPAK® SO-8
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Basproduktens nummer SIDR5802
Rds On (max) @ Id, Vgs 2,9mOhm vid 20A, 10V