Name: SIDR402DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR402DP-T1-GE3TR-ND
Price: 45.5 SEK
Availability: InStock

SIDR402DP-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIDR402DP-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIDR402DP-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIDR402DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIDR402DP-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 40V 64.6A/100A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 40 V 64,6 A (Ta), 100 A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SO-8DC
Datablad	Datablad

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	40 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	64,6 A (Ta), 100 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	0,88mOhm vid 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,3V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	165 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+20V, -16V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	9100 pF @ 20 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	6,25W (Ta), 125W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SO-8DC
Inkapsling/låda	PowerPAK® SO-8
Basproduktens nummer	SIDR402

Antal	Enhetspris	Totalpris
3 000	kr 11,41574	kr 34 247,22
6 000	kr 11,25084	kr 67 505,04

Enhetspris exkl. moms:	kr 36,40000
Enhetspris inkl. moms:	kr 45,50000

SIDR402DP-T1-GE3