Name: SIAA02DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIAA02DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 10.1625 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SIAA02DJ-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SIAA02DJ-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SIAA02DJ-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SIAA02DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIAA02DJ-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 20V 22A/52A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 20 V 22A (Ta), 52A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SC-70-6
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIAA02DJ-T1-GE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	20 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	22A (Ta), 52A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	2,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	4,7mOhm vid 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1,6V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (Max)	+12V, -8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1250 pF @ 10 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,5W (Ta), 19W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SC-70-6
Inkapsling/låda	PowerPAK® SC-70-6
Basproduktens nummer	SIAA02

Enhetspris exkl. moms:	kr 8,13000
Enhetspris inkl. moms:	kr 10,16250

SIAA02DJ-T1-GE3