Name: SIA427ADJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA427ADJ-T1-GE3TR-ND
Price: 9.5625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIA427ADJ-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIA427ADJ-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIA427ADJ-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIA427ADJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIA427ADJ-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Tillverkarens standardleveranstid	24 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 8 V 12 A (Tc) 19W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SC-70-6
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIA427ADJ-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	8 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	12 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	1,2V, 4,5V
Rds On (max) @ Id, Vgs	16mOhm vid 8,2A, 4,5V
Vgs(th) (Max) @ Id	800mV vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	50 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2300 pF @ 4 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	19W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® SC-70-6
Inkapsling/låda	PowerPAK® SC-70-6
Basproduktens nummer	SIA427

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 13 870

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)