SIA414DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIA414DJ-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SIA414DJ-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SIA414DJ-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SIA414DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIA414DJ-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 8 V 12 A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SC-70-6
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 800mV vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max) ±5V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1800 pF @ 4 V
Artikelstatus Föråldrad	Effektförlust (max) 3,5W (Ta), 19W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 8 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® SC-70-6
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 12 A (Tc)	Inkapsling/låda PowerPAK® SC-70-6
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 1,2V, 4,5V	Basproduktens nummer SIA414
Rds On (max) @ Id, Vgs 11mOhm vid 9,7A, 4,5V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

Ersättningsartiklar (2)

Artikelnummer	Tillverkare	Tillgängligt antal	DigiKeys produktnummer	Enhetspris	Typ av ersättningsartikel
SIA436DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	726	SIA436DJ-T1-GE3CT-ND	kr 9,76000	MFR Recommended
DMN1019UFDE-7	Diodes Incorporated	1 129	DMN1019UFDE-7DICT-ND	kr 7,85000	Similar