Name: SIA110DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIA110DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 19.6125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIA110DJ-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SIA110DJ-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SIA110DJ-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SIA110DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SIA110DJ-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 5.4A/12A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 5,4 A (Ta), 12 A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Ytmontering PowerPAK® SC-70-6
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIA110DJ-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 550 pF @ 50 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 3,5W (Ta), 19W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® SC-70-6
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 5,4 A (Ta), 12 A (Tc)	Inkapsling/låda PowerPAK® SC-70-6
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 7,5V, 10V	Basproduktens nummer SIA110
Rds On (max) @ Id, Vgs 55mOhm vid 4A, 10V