Name: SI8487DB-T1-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8487DB-T1-E1TR-ND
Price: 11.225 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SI8487DB-T1-E1
DigiKeys produktnummer	SI8487DB-T1-E1TR-ND - Remsa och spole (TR) SI8487DB-T1-E1CT-ND - Remsbit (CT) SI8487DB-T1-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI8487DB-T1-E1
Beskrivning	MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT
Tillverkarens standardleveranstid	13 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 30 V 4,9 A (Ta) 1,1W (Ta), 2,7W (Tc) Ytmontering 4-Microfoot
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI8487DB-T1-E1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	4,9 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	2,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	31mOhm vid 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1,2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±12V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2240 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	1,1W (Ta), 2,7W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	4-Microfoot
Inkapsling/låda	4-UFBGA
Basproduktens nummer	SI8487

Enhetspris exkl. moms:	kr 8,98000
Enhetspris inkl. moms:	kr 11,22500

SI8487DB-T1-E1