Name: SI8457DB-T1-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8457DB-T1-E1TR-ND
Price: 10.1625 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SI8457DB-T1-E1
DigiKeys produktnummer	SI8457DB-T1-E1TR-ND - Remsa och spole (TR) SI8457DB-T1-E1CT-ND - Remsbit (CT) SI8457DB-T1-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI8457DB-T1-E1
Beskrivning	MOSFET P-CH 12V 4MICRO FOOT
Tillverkarens standardleveranstid	27 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 12 V 6,5 A (Ta) 1,1W (Ta), 2,7W (Tc) Ytmontering 4-MICRO FOOT® (1,6x1,6)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI8457DB-T1-E1 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	12 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	6,5 A (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	1,8V, 4,5V
Rds On (max) @ Id, Vgs	19mOhm vid 3A, 4,5V
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	93 nC @ 8 V
Vgs (Max)	±8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2900 pF @ 6 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	1,1W (Ta), 2,7W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	4-MICRO FOOT® (1,6x1,6)
Inkapsling/låda	4-UFBGA
Basproduktens nummer	SI8457

Enhetspris exkl. moms:	kr 8,13000
Enhetspris inkl. moms:	kr 10,16250

SI8457DB-T1-E1