Name: SI7119DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7119DN-T1-GE3TR-ND
Price: 18.075 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

SI7119DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI7119DN-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI7119DN-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI7119DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI7119DN-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Tillverkarens standardleveranstid	20 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 200 V 3,8 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI7119DN-T1-GE3 Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	3,8 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	6V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	1,05Ohm vid 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	666 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Arbetstemperatur	-50°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	PowerPAK® 1212-8
Inkapsling/låda	PowerPAK® 1212-8
Basproduktens nummer	SI7119

Enhetspris exkl. moms:	kr 14,46000
Enhetspris inkl. moms:	kr 18,07500

SI7119DN-T1-GE3