Name: SI5418DU-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5418DU-T1-GE3TR-ND
Price: 22.6875 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI5418DU-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI5418DU-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI5418DU-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI5418DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI5418DU-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
Tillverkarens standardleveranstid	38 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 12 A (Tc) 3,1W (Ta), 31W (Tc) Ytmontering PowerPAK® ChipFET™ enkel
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI5418DU-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1350 pF @ 15 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 3,1W (Ta), 31W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 30 V	Leverantörens enhetsförpackning PowerPAK® ChipFET™ enkel
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 12 A (Tc)	Inkapsling/låda PowerPAK® ChipFET™ enkel
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Basproduktens nummer SI5418
Rds On (max) @ Id, Vgs 14,5mOhm vid 7,7A, 10V