Name: SI4850BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4850BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 18.3625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI4850BDY-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI4850BDY-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI4850BDY-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI4850BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI4850BDY-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 8.4A/11.3A 8SO
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 8,4 A (Ta), 11,3 A (Tc) 2,5W (Ta), 4,5W (Tc) Ytmontering 8-SO
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,8V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 790 pF @ 30 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 2,5W (Ta), 4,5W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 60 V	Leverantörens enhetsförpackning 8-SO
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 8,4 A (Ta), 11,3 A (Tc)	Inkapsling/låda 8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Basproduktens nummer SI4850
Rds On (max) @ Id, Vgs 19,5mOhm vid 10A, 10V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 17 305

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)