Name: SI4477DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4477DY-T1-GE3TR-ND
Price: 24.4 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI4477DY-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI4477DY-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI4477DY-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI4477DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI4477DY-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Tillverkarens standardleveranstid	38 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 20 V 26,6 A (Tc) 3W (Ta), 6,6W (Tc) Ytmontering 8-SOIC
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI4477DY-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 1,5V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 190 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max) ±12V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 4600 pF @ 10 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 3W (Ta), 6,6W (Tc)
FET-typ P-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 20 V	Leverantörens enhetsförpackning 8-SOIC
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 26,6 A (Tc)	Inkapsling/låda 8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 2,5V, 4,5V	Basproduktens nummer SI4477
Rds On (max) @ Id, Vgs 6,2mOhm vid 18A, 4,5V