Name: SI4435FDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4435FDY-T1-GE3TR-ND
Price: 8.9 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI4435FDY-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI4435FDY-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI4435FDY-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI4435FDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI4435FDY-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Tillverkarens standardleveranstid	22 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 30 V 12,6 A (Tc) 4,8W (Tc) Ytmontering 8-SOIC
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI4435FDY-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,2V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen III	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 15 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 4,8W (Tc)
FET-typ P-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 30 V	Leverantörens enhetsförpackning 8-SOIC
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 12,6 A (Tc)	Inkapsling/låda 8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Basproduktens nummer SI4435
Rds On (max) @ Id, Vgs 19mOhm vid 9A, 10V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 100 033

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)