Name: SI4431CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4431CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 19.0125 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI4431CDY-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI4431CDY-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI4431CDY-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI4431CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI4431CDY-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Tillverkarens standardleveranstid	24 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 30 V 9 A (Tc) 2,5W (Ta), 4,2W (Tc) Ytmontering 8-SOIC
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI4431CDY-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	30 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	9 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	32mOhm vid 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1006 pF @ 15 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2,5W (Ta), 4,2W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-SOIC
Inkapsling/låda	8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
Basproduktens nummer	SI4431