Name: SI4190BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI4190BDY-T1-GE3TR-ND
Price: 35.35 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI4190BDY-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SI4190BDY-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SI4190BDY-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SI4190BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI4190BDY-T1-GE3
Beskrivning	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO-
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 12A (Ta), 17A (Tc) 3,8W (Ta), 8,4W (Tc) Ytmontering 8-SOIC
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI4190BDY-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,5V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 4150 pF @ 50 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 3,8W (Ta), 8,4W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 100 V	Leverantörens enhetsförpackning 8-SOIC
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 17A (Tc)	Inkapsling/låda 8-SOIC (Bredd 0,154", 3,90mm)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Basproduktens nummer SI4190
Rds On (max) @ Id, Vgs 9,3mOhm vid 10A, 10V