SI3460BDV-T1-BE3 Vishay Siliconix | FET:ar, MOSFET:ar enskilda

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI3460BDV-T1-BE3
DigiKeys produktnummer	742-SI3460BDV-T1-BE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SI3460BDV-T1-BE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SI3460BDV-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI3460BDV-T1-BE3
Beskrivning	N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 20 V 6,7A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 3,5W (Tc) Ytmontering 6-TSOP
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 1V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 8 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max) ±8V
Artikelstatus Föråldrad	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 860 pF @ 10 V
FET-typ N-kanal	Effektförlust (max) 2W (Ta), 3,5W (Tc)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Drain till source-spänning (Vdss) 20 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 6,7A (Ta), 8A (Tc)	Leverantörens enhetsförpackning 6-TSOP
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 1,8V, 4,5V	Inkapsling/låda SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
Rds On (max) @ Id, Vgs 27mOhm vid 5,1A, 4,5V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 23

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Denna produkt tillverkas inte längre och kommer inte längre lagerföras när aktuellt lager är slut.

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT)

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 12,68000	kr 12,68
10	kr 7,94600	kr 79,46

Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Enhetspris exkl. moms:	kr 11,77000
Enhetspris inkl. moms:	kr 14,71250

SI3460BDV-T1-BE3