Name: SI3459BDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3459BDV-T1-GE3TR-ND
Price: 14.825 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI3459BDV-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI3459BDV-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI3459BDV-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI3459BDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI3459BDV-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Tillverkarens standardleveranstid	11 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 60 V 2,9 A (Tc) 2W (Ta), 3,3W (Tc) Ytmontering 6-TSOP
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI3459BDV-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 3V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 350 pF @ 30 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 2W (Ta), 3,3W (Tc)
FET-typ P-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 60 V	Leverantörens enhetsförpackning 6-TSOP
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 2,9 A (Tc)	Inkapsling/låda SOT-23-6 smal, TSOT-23-6
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Basproduktens nummer SI3459
Rds On (max) @ Id, Vgs 216mOhm vid 2,2A, 10V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 15 629

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)