Name: SI2393DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2393DS-T1-GE3TR-ND
Price: 8.1 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI2393DS-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SI2393DS-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-SI2393DS-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) 742-SI2393DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI2393DS-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 30V 6.1A/7.5A SOT23
Tillverkarens standardleveranstid	55 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 30 V 6,1A (Ta), 7,5A (Tc) 1,3W (Ta), 2,5W (Tc) Ytmontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 2,2V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 25.2 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max) +16V, -20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 980 pF @ 15 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 1,3W (Ta), 2,5W (Tc)
FET-typ P-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 30 V	Leverantörens enhetsförpackning SOT-23-3 (TO-236)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 6,1A (Ta), 7,5A (Tc)	Inkapsling/låda TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 4,5V, 10V	Basproduktens nummer SI2393
Rds On (max) @ Id, Vgs 22,7mOhm vid 5A, 10V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 22 213

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)