Name: SI2329DS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2329DS-T1-GE3TR-ND
Price: 11.6375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI2329DS-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI2329DS-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI2329DS-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI2329DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI2329DS-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3
Tillverkarens standardleveranstid	38 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 8 V 6 A (Tc) 2,5W (Tc) Ytmontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI2329DS-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 800mV vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 4.5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max) ±5V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1485 pF @ 4 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 2,5W (Tc)
FET-typ P-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 8 V	Leverantörens enhetsförpackning SOT-23-3 (TO-236)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 6 A (Tc)	Inkapsling/låda TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 1,2V, 4,5V	Basproduktens nummer SI2329
Rds On (max) @ Id, Vgs 30mOhm vid 5,3A, 4,5V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

I lager: 92 303

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT) & Digi-Reel®

* Alla Digi-Reel-order kommer att påläggas en avgift på kr 62,00.

Remsa och spole (TR)