SI2305ADS-T1-GE3 Vishay Siliconix | FET:ar, MOSFET:ar enskilda

SI2305ADS-T1-GE3 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

Vishay Siliconix

I lager: 131 384

Enhetspris : kr 5,66000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI2305ADS-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI2305ADS-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI2305ADS-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 8 V 5,4 A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) Ytmontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 800mV vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max) ±8V
Förpackning Remsa och spole (TR)	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 740 pF @ 4 V
Artikelstatus Föråldrad	Effektförlust (max) 960mW (Ta), 1,7W (Tc)
FET-typ P-kanal	Arbetstemperatur -50°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 8 V	Leverantörens enhetsförpackning SOT-23-3 (TO-236)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 5,4 A (Tc)	Inkapsling/låda TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 1,8V, 4,5V	Basproduktens nummer SI2305
Rds On (max) @ Id, Vgs 40mOhm vid 4,1A, 4,5V

Rapportera produktinformationsfel

Dokument och media

Miljö- och exportklassificeringar

Ytterligare resurser

Ersättningsartiklar (1)

Artikelnummer	Tillverkare	Tillgängligt antal	DigiKeys produktnummer	Enhetspris	Typ av ersättningsartikel
SI2305CDS-T1-GE3	Vishay Siliconix	131 384	SI2305CDS-T1-GE3CT-ND	kr 5,66000	Similar

Föråldrad

Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.

SI2305ADS-T1-GE3