Name: SI1308EDL-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1308EDL-T1-GE3TR-ND
Price: 7.075 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SI1308EDL-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SI1308EDL-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR) SI1308EDL-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT) SI1308EDL-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	SI1308EDL-T1-GE3
Beskrivning	MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Tillverkarens standardleveranstid	17 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 30 V 1,4 A (Tc) 400mW (Ta), 500mW (Tc) Ytmontering SC-70-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SI1308EDL-T1-GE3 Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 1,5V vid 250µA
Tillv. Vishay Siliconix	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 4.1 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max) ±12V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 105 pF @ 15 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 400mW (Ta), 500mW (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur -55°C-150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 30 V	Leverantörens enhetsförpackning SC-70-3
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 1,4 A (Tc)	Inkapsling/låda SC-70, SOT-323
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 2,5V, 10V	Basproduktens nummer SI1308
Rds On (max) @ Id, Vgs 132mOhm vid 1,4A, 10V