N-kanal 60 V 2,5 A (Ta) 1,3W (Ta) Genomgående hål 4-HVMDIP
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRLD024PBF

DigiKeys produktnummer
IRLD024PBF-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IRLD024PBF
Beskrivning
MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 60 V 2,5 A (Ta) 1,3W (Ta) Genomgående hål 4-HVMDIP
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IRLD024PBF Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
4V, 5V
Rds On (max) @ Id, Vgs
100mOhm vid 1,5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
870 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1,3W (Ta)
Arbetstemperatur
-55°C-175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
4-HVMDIP
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre.