IRFPC50LCPBF har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
I lager: 203
Enhetspris : kr 89,49000
Datablad

Similar


Microchip Technology
I lager: 88
Enhetspris : kr 42,24000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 63,79000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 0,00000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 0,00000

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 0,00000

Similar


IXYS
I lager: 587
Enhetspris : kr 95,35000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 0
Enhetspris : kr 105,08000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 294
Enhetspris : kr 48,57000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 497
Enhetspris : kr 54,53000
Datablad
IRFP254PBF
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRFPC50LCPBF

DigiKeys produktnummer
IRFPC50LCPBF-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IRFPC50LCPBF
Beskrivning
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 600 V 11 A (Tc) 190W (Tc) Genomgående hål TO-247AC
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IRFPC50LCPBF Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
600 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
600mOhm vid 6,6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
190W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247AC
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.