IRFIB5N65APBF har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
I lager: 1 992
Enhetspris : kr 27,10000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 955
Enhetspris : kr 23,90000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 0
Enhetspris : kr 30,38000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 62
Enhetspris : kr 23,45000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 1 883
Enhetspris : kr 42,33000
Datablad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
I lager: 26
Enhetspris : kr 28,74000
Datablad
N-kanal 650 V 5,1 A (Tc) 60W (Tc) Genomgående hål TO-220-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRFIB5N65APBF

DigiKeys produktnummer
IRFIB5N65APBF-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IRFIB5N65APBF
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 5,1 A (Tc) 60W (Tc) Genomgående hål TO-220-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IRFIB5N65APBF Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
930mOhm vid 3,1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1417 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
60W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220-3
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.