IRFBF20S har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

IRF540NSTRLPBF
Infineon Technologies
I lager: 5 107
Enhetspris : kr 20,76000
Datablad

Similar

STB6NK90ZT4
STMicroelectronics
I lager: 1 994
Enhetspris : kr 38,57000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 900 V 1,7 A (Tc) 3,1W (Ta), 54W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 900 V 1,7 A (Tc) 3,1W (Ta), 54W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRFBF20S

DigiKeys produktnummer
IRFBF20S-ND
Tillverkare
Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer
IRFBF20S
Beskrivning
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 900 V 1,7 A (Tc) 3,1W (Ta), 54W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IRFBF20S Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Vishay Siliconix
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
900 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
1,7 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
8Ohm vid 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
490 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3,1W (Ta), 54W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
TO-263 (D2PAK)
Inkapsling/låda
TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer
IRFBF20
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.