N-kanal 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRFBE30SPBF

DigiKeys produktnummer
IRFBE30SPBF-ND
Tillverkare
Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer
IRFBE30SPBF
Beskrivning
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Tillverkarens standardleveranstid
22 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IRFBE30SPBF Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Vishay Siliconix
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
800 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
4,1 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
3Ohm vid 2,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
TO-263 (D2PAK)
Inkapsling/låda
TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer
IRFBE30
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 960
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 38,57000kr 38,57
50kr 19,71240kr 985,62
100kr 17,88730kr 1 788,73
500kr 14,68940kr 7 344,70
1 000kr 13,66246kr 13 662,46
2 000kr 13,26367kr 26 527,34
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 38,57000
Enhetspris inkl. moms:kr 48,21250