IRFBE30S har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

FQB4N80TM
onsemi
I lager: 823
Enhetspris : kr 27,77000
Datablad

Similar

IRF540NSTRLPBF
Infineon Technologies
I lager: 5 139
Enhetspris : kr 20,76000
Datablad

Similar

IXFA4N100Q
IXYS
I lager: 665
Enhetspris : kr 92,18000
Datablad

Similar

STB6N80K5
STMicroelectronics
I lager: 0
Enhetspris : kr 25,28000
Datablad

Similar

STB7NK80ZT4
STMicroelectronics
I lager: 5 522
Enhetspris : kr 36,35000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

IRFBE30S

DigiKeys produktnummer
IRFBE30S-ND
Tillverkare
Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer
IRFBE30S
Beskrivning
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 800 V 4,1 A (Tc) 125W (Tc) Ytmontering TO-263 (D2PAK)
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Vishay Siliconix
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
800 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
4,1 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
3Ohm vid 2,5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
125W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
TO-263 (D2PAK)
Inkapsling/låda
TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Basproduktens nummer
IRFBE30
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar eller Alternativa förpackningstyper.