N-kanal 800 V 1,8 A (Tc) 54W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRFBE20PBF

DigiKeys produktnummer
IRFBE20PBF-ND
Tillverkare
Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer
IRFBE20PBF
Beskrivning
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Tillverkarens standardleveranstid
64 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 800 V 1,8 A (Tc) 54W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IRFBE20PBF Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Vishay Siliconix
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Aktiv
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
800 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
1,8 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
6,5Ohm vid 1,1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
54W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220AB
Inkapsling/låda
TO-220-3
Basproduktens nummer
IRFBE20
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 1 306
Kontrollera för ytterligare inkommande lager
Antal
Alla priser är i SEK
Rör
Antal Enhetspris Totalpris
1kr 29,53000kr 29,53
50kr 14,73360kr 736,68
100kr 13,30150kr 1 330,15
500kr 10,79068kr 5 395,34
1 000kr 9,98397kr 9 983,97
2 000kr 9,30575kr 18 611,50
5 000kr 9,21537kr 46 076,85
Tillverkarens standardförpackning
Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.
Enhetspris exkl. moms:kr 29,53000
Enhetspris inkl. moms:kr 36,91250