IRFB9N65APBF har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


IXYS
I lager: 240
Enhetspris : kr 68,24000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 0
Enhetspris : kr 12,30743
Datablad
N-kanal 650 V 8,5 A (Tc) 167W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRFB9N65APBF

DigiKeys produktnummer
IRFB9N65APBF-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IRFB9N65APBF
Beskrivning
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 650 V 8,5 A (Tc) 167W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IRFB9N65APBF Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
930mOhm vid 5,1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1417 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
167W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220AB
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.