IRFB20N50KPBF har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar


onsemi
I lager: 1 788
Enhetspris : kr 34,02000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 393
Enhetspris : kr 25,14000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 332
Enhetspris : kr 15,50000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 774
Enhetspris : kr 35,63000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 995
Enhetspris : kr 47,82000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 2 764
Enhetspris : kr 55,09000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
I lager: 0
Enhetspris : kr 57,08000
Datablad
N-kanal 500 V 20 A (Tc) 280W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

IRFB20N50KPBF

DigiKeys produktnummer
IRFB20N50KPBF-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
IRFB20N50KPBF
Beskrivning
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 500 V 20 A (Tc) 280W (Tc) Genomgående hål TO-220AB
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IRFB20N50KPBF Modeller
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
500 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
250mOhm vid 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2870 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
280W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-220AB
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.