2N7002K-T1-E3 Vishay Siliconix | Diskreta halvledarprodukter

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

2N7002K-T1-E3
DigiKeys produktnummer	742-2N7002K-T1-E3TR-ND - Remsa och spole (TR) 742-2N7002K-T1-E3CT-ND - Remsbit (CT) 742-2N7002K-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer	2N7002K-T1-E3
Beskrivning	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 60 V 300mA (Ta) 350mW (Ta) Ytmontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	2N7002K-T1-E3 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	300mA (Ta)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	4,5V, 10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	2Ohm vid 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	30 pF @ 25 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	350mW (Ta)
Arbetstemperatur	-55°C-150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	SOT-23-3 (TO-236)
Inkapsling/låda	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basproduktens nummer	2N7002

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 26 523

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Denna produkt tillverkas inte längre och kommer inte längre lagerföras när aktuellt lager är slut. Visa Ersättningsartiklar.

Antal

Alla priser är i SEK

Remsbit (CT)

Remsa och spole (TR)