2N7002E-T1-GE3 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
I lager: 262 638
Enhetspris : kr 4,73000
Datablad

Similar


onsemi
I lager: 49 722
Enhetspris : kr 1,98000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
I lager: 0
Enhetspris : kr 2,93000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
I lager: 1 850
Enhetspris : kr 2,65000
Datablad

Similar


Diodes Incorporated
I lager: 19 194
Enhetspris : kr 1,89000
Datablad

Similar


Nexperia USA Inc.
I lager: 0
Enhetspris : kr 1,70000
Datablad
SOT-23-3
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

2N7002E-T1-GE3

DigiKeys produktnummer
2N7002E-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR)
2N7002E-T1-GE3CT-ND - Remsbit (CT)
2N7002E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
2N7002E-T1-GE3
Beskrivning
MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Ytmontering TO-236
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Remsbit (CT)
Digi-Reel®
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
60 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
10V
Rds On (max) @ Id, Vgs
3Ohm vid 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2,5V vid 250µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
21 pF @ 5 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
350mW (Ta)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
TO-236
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.