Name: TW027N65C,S1F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TW027N65CS1F-ND
Price: 322.3625 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TW027N65C,S1F
DigiKeys produktnummer	264-TW027N65CS1F-ND
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TW027N65C,S1F
Beskrivning	G3 650V SIC-MOSFET TO-247 27MOH
Tillverkarens standardleveranstid	24 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 650 V 58 A (Tc) 156W (Tc) Genomgående hål TO-247
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	-
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	650 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	58 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	37mOhm vid 29A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V vid 3mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	2288 pF @ 400 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	156W (Tc)
Arbetstemperatur	175°C
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning	TO-247
Inkapsling/låda	TO-247-3

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

I lager: 20

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 257,89000	kr 257,89
30	kr 167,01933	kr 5 010,58
120	kr 164,67808	kr 19 761,37

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.