Name: TPN4R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN4R712MDL1QTR-ND
Price: 15.05 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TPN4R712MD,L1Q
DigiKeys produktnummer	TPN4R712MDL1QTR-ND - Remsa och spole (TR) TPN4R712MDL1QCT-ND - Remsbit (CT) TPN4R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TPN4R712MD,L1Q
Beskrivning	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 20 V 36 A (Tc) 42W (Tc) Ytmontering 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPN4R712MD,L1Q Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 1,2V vid 1mA
Tillv. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 5 V
Serie U-MOSVI	Vgs (Max) ±12V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 10 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 42W (Tc)
FET-typ P-kanal	Arbetstemperatur 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 20 V	Leverantörens enhetsförpackning 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 36 A (Tc)	Inkapsling/låda 8-PowerVDFN
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 2,5V, 4,5V	Basproduktens nummer TPN4R712
Rds On (max) @ Id, Vgs 4,7mOhm vid 18A, 4,5V