Name: TPN4R712MD,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN4R712MDL1QTR-ND
Price: 14.525 SEK
Availability: InStock

Behöver du hjälp?

Skicka feedback

Om DigiKey Marketplace Sälj på DigiKey.com Lediga jobb Webbplatsöversikt Digitala lösningar Nyheter

Hjälp och support Beställningsstatus Fraktkostnader/fraktalternativ Returer och beställningsärenden

(+46) 8 51 992 474 eu.support@digikey.com

TPN4R712MD,L1Q
DigiKeys produktnummer	TPN4R712MDL1QTR-ND - Remsa och spole (TR) TPN4R712MDL1QCT-ND - Remsbit (CT) TPN4R712MDL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TPN4R712MD,L1Q
Beskrivning	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 20 V 36 A (Tc) 42W (Tc) Ytmontering 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPN4R712MD,L1Q Modeller

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVI
Förpackning	Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	P-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	20 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	36 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds On (max) @ Id, Vgs	4,7mOhm vid 18A, 4,5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1,2V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±12V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	4300 pF @ 10 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	42W (Tc)
Arbetstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-TSON Advance (3,1x3,1)
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Basproduktens nummer	TPN4R712

Antal	Enhetspris	Totalpris
5 000	kr 2,71461	kr 13 573,05
10 000	kr 2,53969	kr 25 396,90

Enhetspris exkl. moms:	kr 11,62000
Enhetspris inkl. moms:	kr 14,52500

TPN4R712MD,L1Q