Name: TPN1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1110ENHL1QTR-ND
Price: 27.1375 SEK
Availability: InStock

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TPN1110ENH,L1Q
DigiKeys produktnummer	TPN1110ENHL1QTR-ND - Remsa och spole (TR) TPN1110ENHL1QCT-ND - Remsbit (CT) TPN1110ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TPN1110ENH,L1Q
Beskrivning	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Tillverkarens standardleveranstid	16 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 200 V 7,2 A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Ytmontering 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TPN1110ENH,L1Q Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Vgs(th) (Max) @ Id 4V vid 200µA
Tillv. Toshiba Semiconductor and Storage	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 7 nC @ 10 V
Serie U-MOSVIII-H	Vgs (Max) ±20V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 100 V
Artikelstatus Aktiv	Effektförlust (max) 700mW (Ta), 39W (Tc)
FET-typ N-kanal	Arbetstemperatur 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Monteringstyp Ytmontering
Drain till source-spänning (Vdss) 200 V	Leverantörens enhetsförpackning 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 7,2 A (Ta)	Inkapsling/låda 8-PowerVDFN
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 10V	Basproduktens nummer TPN1110
Rds On (max) @ Id, Vgs 114mOhm vid 3,6A, 10V