Name: TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ50S06M3L(T6L1NQTR-ND
Price: 32.6125 SEK
Availability: InStock

P-kanal 60 V 50 A (Ta) 90W (Tc) Ytmontering DPAK+

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TJ50S06M3L(T6L1,NQ
DigiKeys produktnummer	264-TJ50S06M3L(T6L1NQTR-ND - Remsa och spole (TR) 264-TJ50S06M3L(T6L1NQCT-ND - Remsbit (CT) 264-TJ50S06M3L(T6L1NQDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TJ50S06M3L(T6L1,NQ
Beskrivning	MOSFET P-CH 60V 50A DPAK
Tillverkarens standardleveranstid	12 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 60 V 50 A (Ta) 90W (Tc) Ytmontering DPAK+
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	TJ50S06M3L(T6L1,NQ Modeller

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 124 nC @ 10 V
Tillv. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) +10V, -20V
Serie U-MOSVI	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 6290 pF @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Effektförlust (max) 90W (Tc)
Artikelstatus Aktiv	Arbetstemperatur 175°C (TJ)
FET-typ P-kanal	Grad Automotive
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Godkännande AEC-Q101
Drain till source-spänning (Vdss) 60 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 50 A (Ta)	Leverantörens enhetsförpackning DPAK+
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Inkapsling/låda TO-252-3, DPAK (2 stift + flik), SC-63
Rds On (max) @ Id, Vgs 13,8mOhm vid 25A, 10V	Basproduktens nummer TJ50S06
Vgs(th) (Max) @ Id 3V vid 1mA