Name: TJ200F04M3L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TJ200F04M3LLXHQTR-ND
Price: 50.6375 SEK
Availability: InStock

P-kanal 40 V 200 A (Ta) 375W (Tc) Ytmontering TO-220SM(W)

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

TJ200F04M3L,LXHQ
DigiKeys produktnummer	264-TJ200F04M3LLXHQTR-ND - Remsa och spole (TR) 264-TJ200F04M3LLXHQCT-ND - Remsbit (CT) 264-TJ200F04M3LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Tillverkare	Toshiba Semiconductor and Storage
Tillverkarens produktnummer	TJ200F04M3L,LXHQ
Beskrivning	MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM
Tillverkarens standardleveranstid	32 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	P-kanal 40 V 200 A (Ta) 375W (Tc) Ytmontering TO-220SM(W)
Datablad	Datablad

Produktattribut

Hitta liknande produkter

Visa tomma attribut

Kategori Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda	Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs 460 nC @ 10 V
Tillv. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (Max) +10V, -20V
Serie U-MOSVI	Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 10 V
Förpackning Remsa och spole (TR) Remsbit (CT) Digi-Reel®	Effektförlust (max) 375W (Tc)
Artikelstatus Aktiv	Arbetstemperatur 175°C
FET-typ P-kanal	Grad Automotive
Teknologi MOSFET (Metalloxid)	Godkännande AEC-Q101
Drain till source-spänning (Vdss) 40 V	Monteringstyp Ytmontering
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C 200 A (Ta)	Leverantörens enhetsförpackning TO-220SM(W)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On) 6V, 10V	Inkapsling/låda TO-263-3, D2PAK (2 stift + flik), TO-263AB
Rds On (max) @ Id, Vgs 1,8mOhm vid 100A, 10V	Basproduktens nummer TJ200F04
Vgs(th) (Max) @ Id 3V vid 1mA