Name: GCMX010B120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX010B120S1-E1-ND
Price: 519.8625 SEK
Availability: OutOfStock

Ny produkt

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

GCMX010B120S1-E1
DigiKeys produktnummer	1560-GCMX010B120S1-E1-ND
Tillverkare	SemiQ
Tillverkarens produktnummer	GCMX010B120S1-E1
Beskrivning	1200V, 10M SIC MOSFET MODULE, SO
Tillverkarens standardleveranstid	22 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 204 A (Tc) 652W (Tc) Chassimontering SOT-227
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	SemiQ
Serie	QSiC™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	204 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	20V
Rds On (max) @ Id, Vgs	14mOhm vid 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 40mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	418 nC @ 20 V
Vgs (Max)	+25V, -10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	10864 pF @ 1000 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	652W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Chassimontering
Leverantörens enhetsförpackning	SOT-227
Inkapsling/låda	SOT-227-4, miniBLOC

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

0 i lager

Kontrollera leveranstid

Begär lagermeddelande

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 415,89000	kr 415,89
10	kr 312,07700	kr 3 120,77
100	kr 287,87060	kr 28 787,06

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.