Name: GCMS008C120S1-E1
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMS008C120S1-E1-ND
Price: 497.1875 SEK
Availability: InStock

Nytt hos DigiKey

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

GCMS008C120S1-E1
DigiKeys produktnummer	1560-GCMS008C120S1-E1-ND
Tillverkare	SemiQ
Tillverkarens produktnummer	GCMS008C120S1-E1
Beskrivning	GEN3 1200V 8M SIC MOSFET & SBD
Tillverkarens standardleveranstid	22 veckor
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 1200 V 189A (Tc) 536W (Tc) Chassimontering SOT-227
Datablad	Datablad

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	SemiQ
Serie	QSiC™
Förpackning	Rör
Artikelstatus	Aktiv
FET-typ	N-kanal
Teknologi	SiCFET (kiselkarbid)
Drain till source-spänning (Vdss)	1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	189A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	18V
Rds On (max) @ Id, Vgs	12mOhm vid 100A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 40mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	506 nC @ 18 V
Vgs (Max)	+22V, -8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	14085 pF @ 1000 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	536W (Tc)
Arbetstemperatur	-55°C-175°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Chassimontering
Leverantörens enhetsförpackning	SOT-227
Inkapsling/låda	SOT-227-4, miniBLOC

Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

I lager: 7

Kontrollera för ytterligare inkommande lager

Antal

Alla priser är i SEK

Rör

Antal	Enhetspris	Totalpris
1	kr 397,75000	kr 397,75
10	kr 297,66600	kr 2 976,66
100	kr 272,39630	kr 27 239,63

Tillverkarens standardförpackning

Obs! Tack vare DigiKeys mervärdesskapande tjänster kan förpackningstypen komma att ändras om produkten köps i kvantiteter som är mindre än standardförpackningen.