SIS612EDNT-T1-GE3 har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

SISA26DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
I lager: 5 444
Enhetspris : kr 12,73000
Datablad
Visa och jämför alla ersättningsprodukter
N-kanal 20 V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8S
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

SIS612EDNT-T1-GE3

DigiKeys produktnummer
SIS612EDNT-T1-GE3TR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare
Vishay Siliconix
Tillverkarens produktnummer
SIS612EDNT-T1-GE3
Beskrivning
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 20 V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Ytmontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Förpackning
Remsa och spole (TR)
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
N-kanal
Teknologi
MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)
20 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
50 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
2,5V, 4,5V
Rds On (max) @ Id, Vgs
3,9mOhm vid 14A, 4,5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1,2V vid 1mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2060 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3,7W (Ta), 52W (Tc)
Arbetstemperatur
-55°C-150°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning
PowerPAK® 1212-8S
Inkapsling/låda
PowerPAK® 1212-8S
Basproduktens nummer
SIS612
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.