SCT2160KEC har utgått och tillverkas inte längre.
Tillgängliga ersättningsprodukter:

Direkt


Rohm Semiconductor
I lager: 450
Enhetspris : kr 143,46000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 277
Enhetspris : kr 129,29000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 201
Enhetspris : kr 211,72000
Datablad

Similar


IXYS
I lager: 677
Enhetspris : kr 249,46000
Datablad

Similar


Microchip Technology
I lager: 26
Enhetspris : kr 78,46000
Datablad
N-kanal 1200 V 22 A (Tc) 165W (Tc) Genomgående hål TO-247
Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.
N-kanal 1200 V 22 A (Tc) 165W (Tc) Genomgående hål TO-247
ROHM 4-pin SiC Power MOSFETs | Digi-Key Daily

SCT2160KEC

DigiKeys produktnummer
SCT2160KEC-ND
Tillverkare
Tillverkarens produktnummer
SCT2160KEC
Beskrivning
SICFET N-CH 1200V 22A TO247
Kundreferens
Detaljerad beskrivning
N-kanal 1200 V 22 A (Tc) 165W (Tc) Genomgående hål TO-247
Datablad
 Datablad
Produktattribut
Typ
Beskrivning
Välj alla
Kategori
Tillv.
Serie
-
Förpackning
Rör
Artikelstatus
Föråldrad
FET-typ
Teknologi
Drain till source-spänning (Vdss)
1200 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)
18V
Rds On (max) @ Id, Vgs
208mOhm vid 7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V vid 2,5mA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -6V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 800 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
165W (Tc)
Arbetstemperatur
175°C (TJ)
Grad
-
Godkännande
-
Monteringstyp
Genomgående hål
Leverantörens enhetsförpackning
TO-247
Inkapsling/låda
Basproduktens nummer
Frågor och svar om produkter

Se vilka frågor ingenjörer ställer, ställ dina egna frågor eller hjälp en medlem i DigiKeys ingenjörscommunity

Föråldrad
Denna produkt tillverkas inte längre. Visa Ersättningsartiklar.