RQ3P300BETB1 Rohm Semiconductor | Diskreta halvledarprodukter

RQ3P300BETB1 har utgått och tillverkas inte längre.

Tillgängliga ersättningsprodukter:

Similar

STMicroelectronics

I lager: 3 390

Enhetspris : kr 15,88000

Bilden visar endast en schematisk representation. Exakta specifikationer ska hämtas från produktdatabladet.

RQ3P300BETB1
DigiKeys produktnummer	RQ3P300BETB1TR-ND - Remsa och spole (TR)
Tillverkare	Rohm Semiconductor
Tillverkarens produktnummer	RQ3P300BETB1
Beskrivning	MOSFET N-CH 100V 10A/36A 8HSMT
Kundreferens
Detaljerad beskrivning	N-kanal 100 V 10 A (Ta), 36 A (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) Ytmontering 8-HSMT (3,2x3)
EDA-/CAD-modeller	RQ3P300BETB1 Modeller

Produktattribut

Typ	Beskrivning	Välj alla
Kategori	Diskreta halvledarprodukter Transistorer FET:ar, MOSFET:ar FET:ar, MOSFET:ar enskilda
Tillv.	Rohm Semiconductor
Serie	-
Förpackning	Remsa och spole (TR)
Artikelstatus	Föråldrad
FET-typ	N-kanal
Teknologi	MOSFET (Metalloxid)
Drain till source-spänning (Vdss)	100 V
Ström - kontinuerlig drain (Id) @ 25°C	10 A (Ta), 36 A (Tc)
Drivspänning (max Rds On, min. Rds On)	10V
Rds On (max) @ Id, Vgs	21mOhm vid 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V vid 200µA
Gateladdning (Qg) (Max) @ Vgs	19.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds	1250 pF @ 50 V
FET-funktion	-
Effektförlust (max)	2W (Ta), 32W (Tc)
Arbetstemperatur	150°C (TJ)
Grad	-
Godkännande	-
Monteringstyp	Ytmontering
Leverantörens enhetsförpackning	8-HSMT (3,2x3)
Inkapsling/låda	8-PowerVDFN
Basproduktens nummer	RQ3P300